IGBT与三代半导体SiC双脉冲测试计划
计划简介：日前 ，，，，，，，，基于SiC和GaN的第三代半导体手艺蓬勃生长 ，，，，，，，，其对应的分立器件性能测试需求也随之而来。。。。。其较高的dv/dt与di/dt给性能测试带了不少难题。。。。。泰克的TIVP系列光隔离探头 ，，，，，，，，以其优越的160dB共模抑制比 ，，，，，，，，超低的前端电容 ，，，，，，，，富厚的毗连方法 ，，，，，，，，搭配便捷的AFG31000双脉冲输出功效 ，，，，，，，，加速三代半导体测试流程。。。。。
三代半导体由于其宽禁带所带来的 ，，，，，，，，低驱动电压 ，，，，，，，，低开关消耗等特点 ，，，，，，，，有着光伏 ，，，，，，，，风电 ，，，，，，，，特高压传输 ，，，，，，，，储能 ，，，，，，，，新能源汽车等普遍的应用市场
作为主要的开关器件 ，，，，，，，，三代半导体也延续了以往的IGBT测试历程中需要思量的主要参数 ，，，，，，，，如开关 ，，，，，，，，导通 ，，，，，，，，关断情形下的电压电流以及消耗等。。。。。除了上下管Vgs测试以外 ，，，，，，，，即是双脉冲测试 ，，，，，，，，它主要用以权衡开启参数 ，，，，，，，，关闭参数 ，，，，，，，，反向恢复参数等
双脉冲测试中差别部分器件的事情状态：
- 初始长脉宽 ，，，，，，，，在负载电感器中建设起电流 ，，，，，，，，最大值抵达所要求的电流值
- 关断 ，，，，，，，，在diode中爆发电流 ，，，，，，，，该电流与电感电流一致 ，，，，，，，，因而整体体现为电流零位
- 窄脉冲 ，，，，，，，，由于diode的恢复 ，，，，，，，，会在起始位置造成电流过冲 ，，，，，，，，故爆发尖峰
在测试历程中 ，，，，，，，，Gate驱动电压 ，，，，，，，，要求为两个一连脉宽可调的脉冲串。。。。。一样平常需要专门设计驱动模？？？？？？？ ，，，，，，，，并对其对应的功效举行编辑设计 ，，，，，，，，本钱较高 ，，，，，，，，且参数修改操作繁琐重大。。。。；；； ；；蛘呤褂肁FG加隔离驱动电路的方法 ，，，，，，，，可是古板的AFG基础功效智能天生脉宽稳固的脉冲串 ，，，，，，，，参数可调的脉冲串需要通过电脑软件编辑的方法来实现。。。。。泰克AFG31000完善的解决了上述的问题 ，，，，，，，，其开创性的在仪器上内嵌了双脉冲编辑器 ，，，，，，，，利便快捷的完成双脉冲参数设置和调解。。。。。
在完成驱动电压的双脉冲设置之后 ，，，，，，，，之后即是Vgs的丈量 ，，，，，，，，由于SiC单管高达800V的Vds电压 ，，，，，，，，导致上管保存很高的浮地电压。。。。。由于Gate电压往往在十几V左右 ，，，，，，，，因此对差分探头的共模抑制比提出了很高的要求。。。。。
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若 100 V 共模电压, 20 dB (既10:1)共模抑制比 100MHz
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泰克 TIVP系列光隔离探头拥有卓越的共模抑制比 ，，，，，，，，高达160dB ，，，，，，，，纵然在100M的测试频率下依旧可以稳固在120dB ，，，，，，，，既1000000：1的误差。。。。。若以共模电压1000V举例 ，，，，，，，，其测试时引入的误差仅为1mV
输入电容＜3pF
共模电压＞±60KV
丈量规模至3.3KV（需添加对应衰减毗连器）
TIVP探头与LeCroyDA1855A的共模抑制比比照
几种常见的Vgs测试比照 ，，，，，，，，其中TPP1000为下管电压测试 ，，，，，，，，途中可以显着看出光隔离塔头的振铃以及畸变要小的多。。。。。
双脉冲测试 ，，，，，，，，除了要对Vgs ，，，，，，，，Vds电压考量外 ，，，，，，，，还需要对Ids举行考量。。。。。
关于以SiC以及GaN为衬底的三代半导体器件 ，，，，，，，，其di/dt可能会高达几十千A/us ，，，，，，，，对电流探头的带宽有了新的要求。。。。。由于其需要测试开关的整个动态响应历程 ，，，，，，，，要求电流探头需从DC起 ，，，，，，，，至丈量要求带宽。。。。。Shunt测试要领 ，，，，，，，，可以实现很高的测试带宽 ，，，，，，，，可是由于有较高的共模电压 ，，，，，，，，因此一致受制于共模抑制比 ，，，，，，，，泰克光隔离探头的泛起则完善的解决类似的问题。。。。。
Shunt 与罗氏线圈测试比照
另外由于超高的开关速率 ，，，，，，，，体现在信号上既为更快的信号 ，，，，，，，，更高的带宽要求 ，，，，，，，，其对探头与DUT之间的毗连 ，，，，，，，，也有了更高的要求。。。。。
古板毗连方法
差别线缆长度对测试效果的影响
泰克光隔离探头使用MMCX接口毗连器 ，，，，，，，，能够降低毗连引入的噪声 ，，，，，，，，还原真实的丈量效果
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