半导体质料外貌电阻率/金属薄膜电阻率丈量
电子器件的许多主要参数与电阻率及其漫衍的匀称性有亲近的关系， ，，，，，，，例如二极管的反向饱和电流， ，，，，，，，晶体管的饱和压降和放大倍数β等， ，，，，，，，都直接与硅单晶的电阻率有关。。。。。。 。。因此器件的电阻率测试已经成为芯片加工中的主要工序， ，，，，，，，对其匀称性的控制和准确的丈量直接关系未来能否制造出性能更优功率器件。。。。。。 。。
差别于使用万用表丈量通例导体电阻， ，，，，，，，半导体硅单晶电阻率以及微电子领域的其他金属薄膜电阻率的丈量属于微区薄层电阻测试， ，，，，，，，需要使用细小信号供电以及高细密的量测装备， ，，，，，，，包括测试接线方法上， ，，，，，，，也需要使用四线制的接法来提升丈量效果的准确性， ，，，，，，，行业内称为四探针测试法。。。。。。 。。
什么是四探针测试法？？？？？？
四探针手艺可测试工具主要有：晶圆片和薄层电阻， ，，，，，，，例如硅衬底片、研磨片、外延片， ，，，，，，，离子注入片、退火硅片、金属膜和涂层等。。。。。。 。。使用探针剖析可检测整个芯片外貌薄层电阻匀称性， ，，，，，，，进而判断离子注入片和注入工艺中保存的问题。。。。。。 。。
四探针法按丈量形状可分为直线四探针法和方形四探针法。。。。。。 。。
1）直线四探针法
直线四探针测试法的原理是用针距为1mm的四根探针同时压在样品的平整外貌上， ，，，，，，，使用恒流源给外面的两个探针通以细小电流， ，，，，，，，然后在中心两个探针上用高细密数字万用表丈量电压， ，，，，，，，最后凭证理论公式盘算出样品的电阻率， ，，，，，，，电阻率盘算公式：
， ，，，，，，，S代表探针间距。。。。。。 。。
直线四探针法能测出凌驾其探针间距三倍以上巨细区域的不匀称性。。。。。。 。。
测试装备：差别探针间距探针台+IT2806高细密源表+上位机软件PV2800
IT2806高细密源表（简称SMU）：集六种装备功效于一体（恒流源、恒压源、脉冲爆发器、6.5位DVM、电池模拟器， ，，，，，，，电子负载）。。。。。。 。。在电阻率的测试中， ，，，，，，，可将IT2806高细密源表切换至恒流源模式， ，，，，，，，在输出电流同时量测中心两探针之间的细小压降， ，，，，，，，并搭配免费的PV2800上位机软件， ，，，，，，，自动得出电阻率的丈量效果。。。。。。 。。
使用IT2800系列高细密源表丈量电阻率的优势：
测试便捷：ITECH IT2800系列高细密源/丈量单位标配免费的上位机PV2800软件， ，，，，，，，并可选配差别直线探针间距的探针台， ，，，，，，，使用软件内置的公式， ，，，，，，，即可直接得出电阻率的测试效果。。。。。。 。。
测试精度高：高达100nV/10fA区分率， ，，，，，，，电流量测精度最高可达0.1%+50pA， ，，，，，，，电压量测精度最高可达0.015%+300uV；；；；；；；；提供正向/反向电流一连转变测试， ，，，，，，，提高测试精度。。。。。。 。。
2）方形四探针法（如范德堡法）
范德堡法适用于扁平， ，，，，，，，厚度匀称， ，，，，，，，恣意形状且不含有任何隔离孔的样品质料测试。。。。。。 。。相较量直线型四探针法， ，，，，，，，对样品形状没有要求。。。。。。 。。测试中， ，，，，，，，四个探针接触点必需位于样品的边沿位置， ，，，，，，，测试接线方法也是在其中两个探针点提供恒定电流， ，，，，，，，另外两个点量测电压。。。。。。 。。围绕样品举行8次丈量， ，，，，，，，对这些读数举行数学组合来决议样品的平均电阻率。。。。。。 。。详细测试要领可拜见ASTM标准F76。。。。。。 。。
总结：使用IT2800系列高细密源/丈量单位可以精准实现半导体薄层电阻的电阻率测试， ，，，，，，，为半导体制造工艺的刷新提供数据依据。。。。。。 。。IT2800SMU因其高精度丈量和富厚的探针台治具优势， ，，，，，，，为行业提供专业的测试解决计划。。。。。。 。。
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